[发明专利]延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法有效
| 申请号： | 200610028977.X | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101106069A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 张胜凯;黄文助;杨涛;刘芳文;杨利;许进;黄海;季鹏联;曾最新;蒋广平;蓝仁隆;张仲荣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在等离子体蚀刻设备中，反应腔是十分重要的部件，本发明提供一种延长分耦式等离子体源金属蚀刻机台中上反应腔使用寿命的方法，通过对上反应腔中容易受等离子体损害的部分提供特殊材质的覆盖物，使上反应腔的使用寿命得到延长。同时由于上反应腔壁在覆盖环套保护下不易受损，也就不容易产生导致产品缺陷的微粒，这样对后续制程以至产品良率均有提升。 | ||
| 搜索关键词： | 延长 等离子 蚀刻 系统 反应 使用寿命 方法 | ||
【主权项】：
1.一种延长等离子蚀刻系统中反应腔使用寿命的方法，其特征在于，在使用所述反应腔前，其进气口部位以聚四氟乙烯或者陶瓷构成的覆盖物盖住腔壁，然后再使用反应腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
