[发明专利]用于抛光低介电材料的抛光液无效
| 申请号： | 200610029268.3 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101108952A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋;宋伟红;荆建芬;徐春;顾元 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。本发明的抛光液对低介电材料CDO以及TEOS、SiON等材料的抛光具有促进作用，但对钽、铜的抛光速率无明显的影响，因此可以大大提供衬底的抛光选择性，并且本发明的抛光液可以大大降低衬底表面的刮痕、腐蚀、点蚀等衬底表面缺陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 低介电 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：其还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。
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