[发明专利]用于与高密度等离子机台的工艺腔体衔接的气体管路装置无效
申请号: | 200610029473.X | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN101113803A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 张炳一;张晓平 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | F17D1/02 | 分类号: | F17D1/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于与高密度等离子机台的工艺腔体衔接的气体管路装置,通过在工艺腔体与气体流量控制器之间加设一外加管路与抽气泵,以抽除泄漏残留在气体注入管路内且含量为气体流量控制器所无法监控的气体,以避免后续进行沉积工艺时,残留气体可能与工艺气体反应而产生爆炸或污染沉积薄膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 高密度 等离子 机台 工艺 衔接 气体 管路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于与高密度等离子机台的工艺腔体衔接的气体管路装置,其特征在于包括:一用于注入气体至该工艺腔体的气体注入管路,其连结至该工艺腔体,且在该气体注入管路上安装有一气体流量控制器;一用于将该工艺腔体内气体排出的气体排出管路,其一端连结至该工艺腔体,该气体管路另一端连结至一抽气泵;以及一用于控制管路切换的外加管路,其一端连接至介于该气体流量控制器与该工艺腔体的该气体注入管路上,且衔接处有一第三阀门,该外加管路另一端连接至该抽气泵。
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