[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610029912.7 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123205A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 叶好华;毛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体隔离结构的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多孔绝缘层；在多孔绝缘层上形成绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上形成光刻胶掩膜；图案化光刻胶掩膜，从而在半导体衬底上定义有源区和隔离区；刻蚀与有源区对应的绝缘阻挡层和多孔绝缘层形成隔离沟槽；去除光刻胶；在隔离沟槽内填充单晶硅；平坦化所述单晶硅。本发明还提供了一种半导体隔离结构，包括半导体衬底，在半导体衬底上形成的隔离区，以及位于隔离区之间的有源区，其中，所述的隔离区由位于半导体衬底上的多孔绝缘层和位于多孔绝缘层上的绝缘阻挡层组成。上述方法形成的半导体隔离结构能有效的减小浅隔离沟槽侧壁和基体之间应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多孔绝缘层；在多孔绝缘层上形成绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上形成光刻胶掩膜；图案化光刻胶掩膜，从而在半导体衬底上定义有源区和隔离区；刻蚀与有源区对应的绝缘阻挡层和多孔绝缘层形成隔离沟槽；去除光刻胶；在隔离沟槽内填充单晶硅；平坦化所述单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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