[发明专利]金属前绝缘层的填充方法有效
| 申请号： | 200610029921.6 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123206A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张文广;刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属前绝缘层的填充方法，包括：在衬底表面形成栅极及环绕栅极的侧墙；在衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖栅极及侧墙表面，任意两覆盖阻挡层材料的栅极间具有缝隙；溅蚀部分阻挡层，以扩大栅极间缝隙开口；沉积金属前绝缘层，所述金属前绝缘层材料填充栅极间缝隙。通过在沉积步骤前增加溅蚀步骤，增大缝隙开口，减小缝隙的深宽比，继而在缝隙的顶端不再造成填充材料沉积物的积累，进而使得在填充缝隙时不再产生空洞，保证了器件性能的稳定性，增强了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属前绝缘层的填充方法，包括：在衬底表面形成栅极及环绕栅极的侧墙；在衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层覆盖栅极及侧墙表面，任意两覆盖阻挡层材料的栅极间具有缝隙；溅蚀部分阻挡层，以扩大栅极间缝隙开口；沉积金属前绝缘层，所述金属前绝缘层材料填充栅极间缝隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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