[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610030627.7 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101136326A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 刘乒;张海洋;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；刻蚀所述多晶硅层至所述电介质层表面形成栅极；在具有所述栅极的衬底上形成介质层；所述介质层覆盖所述栅极侧壁、电介质层和硬掩膜层表面；去除位于所述电介质层和硬掩膜层表面的所述介质层；利用磷酸去除所述硬掩膜层；以及栅极侧壁表面的介质层。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；刻蚀所述多晶硅层至所述电介质层表面形成栅极；在所述栅极侧壁形成侧壁保护层；去除所述硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
