[发明专利]一种提高倒装焊芯片亮度的方法

摘要

本发明涉及一种提高倒装焊芯片亮度的方法，其特征在于，将高反射率的金属镀在原来金属电路及吸光的金球上，其方法为：首先用热反应炉使硅基板表面氧化，生成一层二氧化硅，用曝光机光刻出图形，将不需要部分二氧化硅用1％～30％氢氟酸缓冲溶液蚀刻掉，用蒸镀机蒸镀上一层高反射率的金属于二氧化硅层上，用硝酸铁混合溶液蚀刻出占硅基板的表面面积百分比在40％～95％的相邻两块正负极；其次用植球机在两块正负极表面分别植上金球，接着在两块正负极和金球上用蒸镀机分别电镀上一层高反射率金属，然后用氢氟酸缓冲溶液蚀刻，剩下的金属层黏附在正负极和金球上；最后用邦定机将芯片倒置，使芯片电极与金球对准，通过加热、超声，使电极与金球牢固结合。本发明的优点是比传统倒装焊芯片多出40％的光效率。

主权项

1.一种提高倒装焊芯片亮度的方法，其特征在于，将高反射率的金属取代传统高吸光金属电路、增大金属电路面积，从而降低硅基板的吸光区域，以及吸光的金球镀上一层高反射率金属，降低金属吸光，其方法为：(1)首先用热反应炉使50～500μm厚的硅热沉基板(18)表面氧化，生成0.1～10um厚的一层二氧化硅，用曝光机光刻出占硅热沉基板(18)的表面面积在40％～95％的相邻两块二氧化硅膜(17)，用1％～30％氢氟酸缓冲溶液将不需要的二氧化硅蚀刻掉；(2)用蒸镀机蒸镀上一层0.1～10μm厚的高反射率的金属钛镍银于二氧化硅膜(17)上，用硝酸铁蚀刻出占硅热沉基板(18)的表面面积百分比在60％～98％的相邻两块钛镍银金属正负电极(15)；(3)其次在两块正负电极(15)表面用植球机分别植上金球(14)，接着在两块正负电极(15)和金球(14)上用蒸镀机镀上一层0.1～10μm的高反射率金属层，然后通过1％～30％氢氟酸溶液蚀刻的金属层(16)黏附在正负电极(15)和金球(14)上；(4)最后用邦定机将芯片倒置，使芯片电极(13)与金球(14)对准，通过50～300摄氏度加热、0.1～10W功率超声，使芯片电极(13)与金球(14)牢固结合。