[发明专利]可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法有效
| 申请号： | 200610030965.0 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140305A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曾令海;李平梁;徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法，可同时去除电感测试结构中焊盘和引线的寄生效应，从而实现对电感的准确测量。通过增加一种通路测试结构，即在接有信号的两个焊盘之间连接一条与测试电感引线宽度相同的连线，对电感测量值在使用开路结构去除焊盘的寄生效应的基础上，再使用通路结构去除引线的寄生效应，从而可得到准确的电感测试值。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 测试 结构 寄生 效应 射频 电感 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)引入一种通路结构，即在接有信号的两个焊盘之间连接一条与测试电感引线宽度相同的连线；(2)计算上述通路结构使用开路结构去除焊盘的寄生效应后的S参数测试值，并将该S参数转换成相应的ABCD参数A_deembopen；(3)使用步骤(2)所得的S参数，计算出特征阻抗Z和传输常数γ；(4)基于步骤(3)所求得的特征参数Z和γ，分别计算出测试结构中左右两条引线的ABCD参数A_left和A_right；(5)基于所述左右引线的ABCD参数A_left和A_right，计算出去除引线寄生效应后的射频片上电感测量的ABCD参数A_dut；(6)将上述计算所得的去除引线寄生效应后射频片上电感测量的ABCD参数A_dut转换成相应的S参数。
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