[发明专利]平面型单硅双金属层功率器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种成本低、占用面积小、栅极电容小、开启速度快、易于集成的平面型单硅双金属层功率器件及制造方法。该功率器件包括硅衬底，形成于硅衬底内的阱区、形成于硅衬底正面的两个氧化层，分别位于两个氧化层正面的漏极金属、源极金属、栅极金属，植入到硅衬底中的阱接触区、源区、漏区、通道区，形成于硅衬底正面的栅氧化层，位于栅氧化层上的多晶硅栅极，两个氧化层上分别有若干个通孔，两个氧化层正面的漏极金属、源极金属、栅极金属各填充通孔并分别与漏区、阱接触区及源区、多晶硅栅极相连接。制造方法包括形成栅氧化层、阱区、通道区、多晶硅栅极、阱接触区、源区、漏区、氧化层、金属层的步骤。本发明可广泛应用于集成电路领域。

主权项

1、一种平面型单硅双金属层功率器件，包括硅衬底(1)，形成于所述硅衬底(1)内的阱区(90)，形成于所述硅衬底(1)正面的氧化层I(81)，位于所述氧化层I(81)正面的漏极金属I(2)、源极金属I(3)、栅极金属I(4)，植入到所述硅衬底(1)中的阱接触区(50)、源区(52)、漏区(53)，连接所述源区(52)与所述漏区(53)之间的通道区(65)，生长于所述硅衬底(1)正面的栅氧化层I(60)、栅氧化层II(61)，位于所述栅氧化层I(60)、所述栅氧化层II(61)上的多晶硅栅极(7)，所述氧化层I(81)上有若干个通孔I(83)，所述漏极金属I(2)、所述源极金属I(3)、所述栅极金属I(4)填充若干个所述通孔I(83)并分别与所述漏区(53)、所述阱接触区(50)及所述源区(52)、所述多晶硅栅极(7)相连接，它还包括氧化层II(82)，位于所述氧化层II(82)正面的漏极金属II(2’)、源极金属II(3’)、栅极金属II(4’)，所述氧化层II(82)上有若干个通孔II(84)，其特征在于：所述漏极金属II(2’)与所述源极金属II(3’)位于所述氧化层II(82)上表面的相反位置，所述氧化层II(82)上表面的所述漏极金属II(2’)通过所述通孔II(84)与所有所述漏极金属I(2)的相同半边相连接并形成焊盘，所述氧化层II(82)上表面的所述源极金属II(3’)通过所述通孔II(84)与所有所述源极金属I(3)的相同半边相连接并形成焊盘，所述栅极金属II(4’)通过所述通孔II(84)与所述栅极金属I(4)相连接并形成焊盘或与其它电路相连接。