[发明专利]高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610038030.7 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1862827A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;石磊 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/283;H01L21/314;C23C14/22 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3) 1－x，其中x的取值范围为0.1≤x≤0.3，其制备方法是启动脉冲激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(9)将激光束聚焦在TAO陶瓷靶材(8)上，用脉冲激光剥离TAO陶瓷靶材(8)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得铝酸钛薄膜，物理厚度为5nm的该非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为17.8，等效氧化物厚度为1.25nm，漏电流为2.76×10－4A/cm2，界面层仅为1－2个原子层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电 系数 电介质 材料 铝酸钛 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜，其特征在于其化学式为(TiO2)x(Al2O3)1-x，其中X的取值范围为0.1≤x≤0.3。
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