[发明专利]射频微电子机械双膜桥并联电容式开关及其制备方法无效
| 申请号： | 200610039596.1 | 申请日： | 2006-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1832081A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;董乔华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01H49/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 射频微电子机械双层膜桥并联电容式开关用于射频微波电路中。该结构使用双端固支梁作为开关膜桥，采用双层膜结构解决了由于射频高功率引起的自执行和自锁效应。具体的结构为：开关做在砷化镓衬底上(1)；开关以共面波导为端口(2)；开关桥是信号线的一部分(3)，采用双端固支梁实现；在信号线开关桥的上方是共面波导地线的连接线(4)，也是开关的地耦合线；在信号线开关桥的下方是直流控制电极(5)；在直流电极(5)以及地线连接线(4)与开关桥(3)相对的面上都长有一层氮化硅介质层(91、92)。采用MMIC工艺制作，利用聚酰亚胺作为牺牲层。该开关延续了MEMS开关低功耗、高隔离度和低插入损耗以及较好线形度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 微电子 机械 双膜桥 并联 电容 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种射频微电子机械双膜桥并联电容式开关，其特征是：该开关做在砷化镓衬底(1)上，由共面波导端口(2)、开关桥(3)、地线连接线(4)、直流控制电极(5)、共面波导地线匹配区域(6)、氮化硅上介质层(91)、氮化硅下介质层(92)组成；共面波导地线位于砷化镓衬底(1)上的四周，开关桥(3)位于砷化镓衬底(1)上的中间，同时也是信号线的一部分，采用双端固支梁实现；在信号线开关桥(3)的上方是共面波导地线的连接线(4)，也是开关的地耦合线；在信号线开关桥(3)的下方是直流控制电极(5)；在直流控制电极(5)上面长有氮化硅上介质层(91)，氮化硅上介质层(91)与开关桥(3)之间是下间隙(81)，在地线连接线(4)的下面长有一层氮化硅下介质层(92)，氮化硅下介质层(92)与开关桥(3)之间是上间隙(82)。
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