[发明专利]低成本制作复杂三维微结构或微器件方法无效

专利信息
申请号: 200610042831.0 申请日: 2006-05-18
公开(公告)号: CN1857990A 公开(公告)日: 2006-11-08
发明(设计)人: 兰红波;丁玉成;刘红忠;卢秉恒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 李郑建
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种低成本制作复杂三维微器件或微结构方法,该方法基于叠层制造原理,综合紫外光压印光刻(或准LIGA)、微电化学加工、牺牲层和溶脱等多种微细加工工艺的优点。整个工艺过程包括微器件三维CAD实体模型微分层、模版制作、多层微器件牺牲层和结构层制作、溶脱和后处理;该方法不但能够实现金属材料复杂三维微器件的制作(例如具有复杂曲面几何形状、高深宽比、悬空、倒切等微结构特征),还可制作具有多层复合材料微器件,具有成本低、精度高、与集成电路工艺兼容和不受复杂几何形状约束的特点。特别适合形状复杂和高导电材料低损耗的RF MEMS器件、可调电容、螺线管、变压器等微器件的制作。
搜索关键词: 低成本 制作 复杂 三维 微结构 器件 方法
【主权项】:
1.一种低成本制作复杂三维微结构或微器件方法,其特征在于,该方法首先将采用MEMS CAD等工具设计完成的微器件三维CAD实体模型输入专用分层软件,利用该软件的微分层功能把微器件三维CAD实体模型沿高度方向离散成一系列具有一定厚度二维层片,得到每层截面的几何数据信息,生成工艺数据和CIF格式掩摸文件;随后根据工艺数据和CIF格式掩摸文件制作每层的压印模具或掩膜版;然后,在基片上进行预处理和溅射种子层;在种子层上进行涂胶、压印光刻或准LIGA工艺制作第一牺牲层,第一牺牲层完成后通过微电铸或化学镀制作结构层,然后经层平面化、表面处理后制作下一层的牺牲层和结构层,直至将所有的层制作完成;最后,通过溶脱工艺去除牺牲层材料和种子层,并经后处理得到最终制品。
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