[发明专利]霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法

摘要

一种霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法，本方法包括以下步骤：抽真空及加热；离子轰击；镀膜。通过该方法突破了传统的技术难题，通过弧电流大小的控制、靶的合理设计及完善的工艺过程实现膜层的高硬度、高致密性，实现并保证薄膜材料与基体良好的结合强度。同时，在薄膜沉积过程后期引入磁控溅射技术，可获得致密完整的高质量薄膜体系，以满足苛刻服役环境下的各种工模具表面处理的工业化需要。因此，该方法具有高效率、强化效果显著的技术优势。

主权项

1、一种霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜方法，包括对反应室内抽真空和工件表面镀膜，其特征是本方法包括以下步骤：——获取真空环境：将待处理工件置入霍尔源激励磁控溅射增强型磁过滤多弧离子复合镀膜设备的炉体反应室内，对反应室内抽真空至1.0×10-2Pa-5.0×10-4Pa，温度保持在50-100℃；——离子活化清洗：向反应室通入流量为50-100ml/min的氩气，开启脉冲偏压并保持偏压逐渐增大并稳定在900-1000V，控制占空比为30-90％；——过渡膜层预镀：开启磁控靶沉积5-30min纯Ti并施以偏压500-1000V；——工作膜层施镀：开启多弧靶，控制氮气量为100-500ml/min，占空比30-90％，偏压从100-900V，弧电流50-100A，沉积时间为0.5-2h。