[发明专利]一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及一种原位反应热压制备Ta₂AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。所述Ta₂AlC纳米层状陶瓷属六方晶系，空间群为P6₃/mmc，单胞晶格常数a为3.08，c为13.85，理论密度为11.52g/cm³。其晶体结构中Al和Ta以较弱的共价键相结合，使Ta₂AlC在变形时易沿[0001]方向在此处产生剪切变形，表现一定的显微塑性。它是优良的热电导体，易加工和对热震不敏感，是潜在的高温结构与功能材料。单相Ta₂AlC具体制备方法是：首先，以钽粉、铝粉、石墨粉为原料，干燥条件下在树脂罐中球磨10～20小时，过筛后装入石墨模具中冷压成型(10～20MPa)，在真空或通有氩气的热压炉内烧结，升温速率为10～15℃/分钟，在1500～1700℃烧结，保温时间为20～120分钟，施加压力为20～40MPa。本发明制备的Ta₂AlC陶瓷具有致密度高、纯度高的特点。

主权项

1、一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷，其特征在于：Ta2AlC纳米层状陶瓷属六方晶系，空间群为P63/mmc，晶体结构中Al与Ta-C-Ta链以弱共价键结合；通过原位反应热压技术所制备的单相Ta2AlC相对密度为98.5～99.5％，平均晶粒尺寸长度为10～15μm，宽为2～3μm。