[发明专利]一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法

摘要

本发明涉及高纯Y₂SiO₅新陶瓷材料的制备技术，具体为一种低温制备大块致密高纯单相Y₂SiO₅陶瓷材料的方法。在原料Y₂O₃和SiO₂混合物中加入添加剂LiYO₂，添加剂的含量为Y₂O₃、SiO₂和LiYO₂总质量的0.2～10.0％。混合均匀后，进行煅烧，煅烧温度为1250℃～1600℃，煅烧时间为1～5小时，得到高纯单相Y₂SiO₅粉末。粉末经球磨得到超细粉后，装入高强钢模具中单向冷压或进行冷等静压成型，得到相对密度为45～65％的生坯，在高温空气炉或氧气炉中进行无压烧结，烧结温度为1100～1600℃、烧结时间为0.5～2.5小时，得到的成品密度为理论密度的85～100％。本发明可以在相当低的温度下制备出具有高纯度的单相的大块致密的Y₂SiO₅陶瓷材料，可以作为高温结构材料、抗氧化性保护涂层等，在航空、航天方面有着广泛的应用前景。

主权项

1.一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷材料的方法，其特征在于：制备过程由两步组成，先制备Y2SiO5陶瓷粉料，在原料Y2O3和SiO2混合物中加入添加剂LiYO2，Y2O3和SiO2的摩尔比例为1∶(0.7～1.5)，添加剂LiYO2的含量为Y2O3、SiO2和LiYO2总质量的0.2～10.0％；混合均匀后进行煅烧，煅烧温度为1250℃～1600℃，煅烧时间为1～5小时，得到高纯单相Y2SiO5粉末，粉末经球磨得到超细粉后，再将粉料成型得到生坯进行无压烧结，烧结温度为1100～1600℃，烧结时间为0.5～2小时，烧结后Y2SiO5陶瓷材料无其它杂质相，密度为理论密度的85～100％。