[发明专利]一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器无效
| 申请号： | 200610050514.3 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101064197A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 韩建强;李青;李昕欣;王跃林;韩安太;孙延伟 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G12B21/00 | 分类号： | G12B21/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1～1.7，二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9～1.2，其中的二氧化硅由热氧化法生长，氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行，结构简单，成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 交叉 灵敏度 悬臂梁 谐振器 | ||
【主权项】：
1.一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器，采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构。其特征在于：二氧化硅/硅双层结构微悬臂梁谐振器的硅层和二氧化硅层的最优厚度比是1.1～1.7。二氧化硅/氮化硅双层结构微悬臂梁谐振器的二氧化硅层和氮化硅层的最优厚度比是0.9～1.2。
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