[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200610057343.7 申请日: 2006-03-10
公开(公告)号: CN1901170A 公开(公告)日: 2007-01-24
发明(设计)人: 林建宏;林纲正;李慈莉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/525
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有:一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上;一密封环围绕上述熔丝,上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中,用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量,避免上述能量对上述半导体装置造成损害;以及至少一保护层位于上述密封环内,并位于上述元件与上述熔丝之间,以避免上述元件曝露于上述能量下。本发明所述半导体装置,可以增加半导体基底的可用面积,并使设计于此的元件不会受到熔断熔丝制程的影响而失效。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,所述半导体装置包含:一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上;一密封环围绕该熔丝,该密封环位于该元件与该熔丝之间的至少一金属层中,用以局限熔断该熔丝时所使用的能量,避免该能量对该半导体装置造成损害;以及至少一保护层位于该密封环内,并位于该元件与该熔丝之间,以避免该元件曝露于该能量下。
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