[发明专利]低缺陷密度、自间隙原子为主的硅无效
| 申请号： | 200610058336.9 | 申请日： | 1998-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1854353A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦奎德;J·C·霍尔泽;P·马蒂;B·K·约翰逊 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 间隙 原子 为主 | ||
【主权项】：
1.一种外延晶片，包括单晶硅基片，该基片具有中心轴、总体上垂直于该中心轴的前面和后面、圆周边、从中心轴延伸到圆周边的半径和150mm、200mm或300mm的标称直径，该基片具有不含在103缺陷/cm3的检测极限下可检测到的聚集本征点缺陷的轴对称区，该轴对称区从圆周边径向向内延伸并且从圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少为半径长度的30％，其中在该晶片的轴对称区中硅自间隙原子是占优势的本征点缺陷，并且该外延晶片还包括沉积在该基片的前面上的外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610058336.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成有可变换光源的电泳分离与分析装置及其使用
- 下一篇：自动清扫装置
