[发明专利]具有高介电常数陶瓷材料芯的多组分低温共烧制金属化陶瓷基片及其开发方法无效
| 申请号： | 200610059998.8 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1891454A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | C·R·尼德斯;M·F·麦克库姆斯;K·M·奈尔 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | B32B18/00 | 分类号： | B32B18/00;C04B37/00;H05K1/03;H05K3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 顾敏 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造低温共烧制陶瓷结构的方法，该方法包括：提供包括至少一层芯带的前体生材层压体，所述芯带的介电常数至少为20；提供一层或多层自约束带；提供一层或多层初级带；排列所述芯带层、自约束带层和初级带层；对所述芯带层，自约束带层和初级带层进行层压和共烧制，形成所述陶瓷结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电常数 陶瓷材料 组分 低温 烧制 金属化 陶瓷 及其 开发 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造低温共烧制陶瓷结构的方法，该方法包括：提供前体生材层压体，该层压体包括至少一层芯带，其中所述芯带的介电常数至少为20；提供一层或多层自约束带：提供一层或多层初级带；对所述芯带层、自约束带层和初级带层进行排列；对所述芯带层、自约束层和初级带层进行层压和共烧制，形成所述陶瓷结构。
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