[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610060273.0 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055892A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管，其包括一基底、一源极、一漏极、一通道区域、一栅极绝缘层、一钝化层及一栅极，该源极、漏极及通道区域形成于该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及漏极之间，该栅极绝缘层形成于该通道区域上，该钝化层形成于该源极、漏极及通道区域上，且位于该栅极绝缘层两侧，该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数，该栅极形成于该栅极绝缘层及部分钝化层上，且与该通道区域对应。该薄膜晶体管漏电流较小、可靠性高。本发明还提供该薄膜晶体管之制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括一基底、一源极、一漏极、一通道区域、一栅极绝缘层、一钝化层、一栅极及一金属层图案，该源极、漏极及通道区域形成在该基底上且位于同一层，该通道区域位于该源极及漏极之间，该栅极绝缘层形成在该通道区域上，该钝化层形成在该源极、漏极及通道区域上，且位于该栅极绝缘层两侧，该钝化层包括多个接触孔，该金属层图案设置在该钝化层上，且通过该多个接触孔与该源极、漏极及栅极欧姆接触，其特征在于：该钝化层介电常数小于栅极绝缘层介电常数，该栅极形成在该栅极绝缘层及部分钝化层上，且与该通道区域对应。
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