[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610063529.3 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101179096A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷;张建雄;张囿雄;郑凯元;谢朝桦;洪肇逸;赖昭志 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括一绝缘基板、一位于该绝缘基板上的栅极、一覆盖该绝缘基板和该栅极的栅极绝缘层、一位于该栅极绝缘层上的轻掺杂非晶硅层、一位于该轻掺杂非晶硅层上的非晶硅层、一位于该非晶硅层上的重掺杂非晶硅层和一位于该重掺杂非晶硅层上的金属电极层。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括一绝缘基板，一位于该绝缘基板上的栅极，一覆盖于该绝缘基板和该栅极的栅极绝缘层，一位于该栅极绝缘层上的非晶硅层，一位于该非晶硅层上的重掺杂非晶硅层和一位于该重掺杂非晶硅层和该栅极绝缘层上的金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管进一步包括一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层位于该栅极绝缘层和该非晶硅层之间。
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