[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200610063663.3 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101079442A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 天清宗山;国井彻郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在采用对增大最大漏极电流有效的掩埋栅极构造的同时提高耐压的高输出的场效应晶体管。该场效应晶体管至少具有：在半绝缘基片上用不含铝的3～5族化合物半导体形成的沟道层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的含铝带隙能大的3～5族化合物半导体形成的栅极接触层；在其上用搀杂浓度在1×1016cm－3以下的不含铝的3～5族化合物半导体形成的栅极掩埋层；和掩埋在该栅极掩埋层中与栅极接触层连接的栅极电极，在栅极掩埋层设有凹槽，包围栅极电极的侧壁，其厚度设为使栅极接触层不露出。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，设有：沟道层，在半绝缘基片上用含有不含铝的3～5族化合物半导体的外延层形成；栅极接触层，在该沟道层上用含有含铝的带隙能大的3～5族化合物半导体的搀杂浓度在1×1016cm-3以下的外延层形成；栅极掩埋层，在该栅极接触层上用含有不含铝的3～5族化合物半导体的搀杂浓度在1×1016cm-3以下的外延层形成；和栅极电极，掩埋在该栅极掩埋层中，与该栅极接触层连接，其特征在于，在上述栅极掩埋层内设有凹槽，其通过间隙与该栅极电极的侧壁上部相对，并留出与该栅极电极侧壁下部连接的上述栅极掩埋层的一部分。
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