[发明专利]通过非晶硅X射线探测器进行电磁辐射探测的系统和方法无效
| 申请号： | 200610064460.6 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101190130A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | P·K·库恩;P·T·安德森;J·R·兰伯蒂 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | A61B6/00 | 分类号： | A61B6/00;G01T1/161;G01N23/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的特定实施例提供一种探测成像系统(100)中的电磁场(160)的方法，所述方法包括：利用电磁发射器(150)发射电磁场(160)，利用成像系统探测器(120，200)探测电磁场(160)，以及至少部分地基于电磁场(160)从探测器(120，200)读取场图像。成像系统探测器(120，200)能够读取物体图像和场图像。探测器(120，200)可以是非晶硅平板x射线探测器。电磁发射器(150)可被用于手术导航。可以部分地基于场图像来确定手术设备、仪器和/或工具的位置。探测器(120，200)在电磁发射器(150)发射电磁场(160)时可以被协调以采集场图像。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 非晶硅 射线 探测器 进行 电磁辐射 探测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于探测成像系统(100)中的电磁场的方法，所述方法包括：利用电磁发射器(150)来发射电磁场(160)；利用成像系统探测器(120，200)来检测电磁场(160)，该成像系统探测器(120，200)能够读取物体图像，该成像系统探测器(120，200)能够读取场图像；以及至少部分地基于电磁场(160)来从探测器(120，200)读取场图像。
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