[发明专利]半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构无效
| 申请号： | 200610064882.3 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038946A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 量子 阱导带内 跃迁 材料 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。
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