[发明专利]单闸极的非挥发性内存及其操作方法

摘要

一种单闸极的非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存是在半导体基底内嵌晶体管及电容结构，晶体管包含第一导电闸极、第一介电层与多个第一离子掺杂区，而电容结构则包含第二导电闸极、第二介电层与第二离子掺杂区，且第一导电闸极与第二导电闸极是相互电连接而形成记忆胞的单浮接闸极，此单闸极记忆胞乃可藉由逆向偏压进行写入以及相关的抹除及读取等操作，另外，有隔离井区的操作时，可藉由施加正负电压于汲极、闸极及硅基底或井区，来产生反层，以降低绝对电压，减少升压电路的面积，并达成降低电流消耗的目的。

主权项

1.一种单闸极的非挥发性内存，包括：一半导体基底；一晶体管，系包含一第一介电层、一第一导电闸极与复数个第一离子掺杂区，该第一介电层系位于该半导体基底表面，该第一导电闸极系迭设于该第一介电层上方，该些第一离子掺杂区系位于该第一导电闸极的两侧分别形成源极及汲极；及一电容结构，系包含一第二介电层、一第二导电闸极与一第二离子掺杂区，该第二介电层系位于该半导体基底表面，该第二导电闸极系迭设于该第二介电层上方，该第二离子掺杂区系位于该第二介电层一侧，且该第一导电闸极与该第二导电闸极系为隔离且为电连接，作为单浮接闸极。