[发明专利]等离子体处理装置和方法无效

专利信息
申请号: 200610066914.3 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN1856211A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 北村昌幸;平山昌树;大见忠弘 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种等离子体处理装置,使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上,使供给到处理容器内的规定气体等离子体化,对基板进行等离子体处理,并列配置有多根波导管,在每一根波导管上分别设置有多个介电体,且在每个介电体上设置有1个或2个以上的槽。可以显著减小各介电体的面积,可靠地使微波传播到介电体的整个表面。此外,由于支承介电体的支承部件足够细,可在基板的整个上方形成均匀的电磁场,在处理室内发生均匀的等离子体。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上,使供给到处理容器内的规定气体等离子体化,对基板进行等离子体处理,其特征在于,并列配置有多根所述波导管,在每一根波导管上分别设置有多个介电体,且在每个介电体上设置有1个或2个以上的槽。
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