[发明专利]高亮度发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610072421.0 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055906A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 倪英嘉;倪国烟;洪明正 | 申请（专利权）人： | 汉光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度发光二极管，包括：透明基板，其是由包含砷化铝镓(AlxGa1－xAs)的材料所形成；发光层，其是生长于该透明基板上，且由包含磷化铝镓铟(AlGaInP)的材料所形成；窗层，其是生长于该发光层上，且由包含GaP的材料所形成；上电极层，其是与该窗层形成欧姆接触；以及下电极层，其是与该透明基板形成欧姆接触，其中，该透明基板材料的分子式AlxGa1－xAs中的x值是设定为会使该透明基板，对该发光层所发特定波长的光，具有高能隙的透光度的数值。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.高亮度发光二极管，包括：透明基板，其是由包含砷化铝镓(AlxGa1-xAs)的材料所形成；发光层，其是生长于该透明基板上，且由包含磷化铝镓铟(AlGaInP)的材料所形成；窗层，其是生长于该发光层上；上电极层，其是与该窗层形成欧姆接触；以及下电极层，其是与该透明基板形成欧姆接触，其中，该透明基板材料的分子式AlxGa1-xAs中的x值是设定为会使该透明基板，对该发光层所发出特定波长的光，具有高能隙的透光度的数值，且该窗层是用来增进该上电极层导通至该发光层的电流扩散效果。
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