[发明专利]多阶式栅极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610072682.2 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051650A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王廷熏 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多阶式栅极结构包含具有多层阶梯结构的半导体基板、设置在该多层阶梯结构上的栅氧化层以及设置于该栅氧化层上的导电层。较佳地，该多层阶梯结构各阶梯表面的栅氧化层厚度不相同。此外，该多阶式栅极结构另包含多个掺杂浓度不同的掺杂区，设置在该多层阶梯结构下方的半导体基板中。该各阶梯下掺杂区的制备是采用不同掺质及掺杂剂量，可控制该栅氧化层的厚度及该多阶式栅极结构的启始电压。该多阶式栅极结构的载流子通道的整体长度为该多层阶梯结构的宽度(W)及高度(H)的总和，可有效解决短通道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多阶式 栅极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多阶式栅极结构，其特征是包含：半导体基板，具有多层阶梯结构，该多层阶梯结构具有至少一个第一凹部与一个第二凹部；栅氧化层，设置在该多层阶梯结构上；以及导电层，设置在该栅氧化层上。
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