[发明专利]一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法有效
| 申请号： | 200610072719.1 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101050543A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;陈创天;刘有臣;王晓洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为将氟硼铍酸铷/铯营养料15～300g放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度在黄金衬套中加入含有0～2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值1.0～14.0；在营养料的上方放置一个开孔率为7～15％的黄金挡板，在黄金衬套的顶部悬挂籽晶；加热使得生长区平均温度为300～425℃，溶解区平均温度为380～500℃，压力P≤200MPa；经过10～90天，得到氟硼铍酸铷/铯单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水热法 生长 氟硼铍酸铷 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为在高压釜中，利用高温高压的纯水，或酸、碱、盐的溶液使得氟硼铍酸铷/铯溶解并再结晶生长单晶体的方法。
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