[发明专利]基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列有效
| 申请号： | 200610072795.2 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055915A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 曾中明;魏红祥;姜丽仙;韩秀峰;彭子龙;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;H03K19/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件，该逻辑元件包括四条输入信号线、一条输出信号线和隧道结单元；每条输入线中流过的电流强度均相同，分别将“0”和“1”分配给它们，利用输入信号A、B、C、D的组合，决定隧道结中磁性层的磁化方向，将通过双势垒磁性隧道结的磁电阻效应的大小作为输出信号；其特征在于所述的隧道结单元是双势垒磁性隧道结单元，包括：下部磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性层、第二隧道势垒层和上部磁性层。本发明还涉及一种将上述任意多个磁逻辑元件按照阵列排列，并使逻辑输入信号或读出电流流过磁逻辑元件的磁逻辑元件阵列。本发明的优点在于使逻辑电路小型化及高密度集成化，利于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双势垒 磁性 隧道 逻辑 元件 阵列 | ||
【主权项】：
1、一种基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件，该逻辑元件包括四条输入信号线、一条输出信号线和隧道结单元；每条输入线中流过的电流强度均相同，分别将“0”和“1”分配给它们，利用输入信号A、B、C、D的组合，决定隧道结中磁性层的磁化方向，将通过双势垒磁性隧道结的磁电阻效应的大小作为输出信号，其特征在于：所述的隧道结单元是双势垒磁性隧道结单元，其包括：一个下部磁性层；一个形成于所述下部磁性层之上的第一隧道势垒层；一个形成于所述第一隧道势垒层之上的中间磁性层；一个形成于所述中间磁性层之上的第二隧道势垒层；一个形成于第二隧道势垒层之上的上部磁性层；所述的三个磁性层的组成材料为铁磁性材料、半金属磁性材料或磁性半导体材料，各磁性层的厚度均为2～10nm；所述的隧道势垒层的组成材料为选自MgO、Al2O3、AlN、Ta2O5或HfO2的绝缘氧化物，其厚度为0.8～3.0nm。
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