[发明专利]一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法有效
| 申请号： | 200610072920.X | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101050518A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张华;杨坚;刘慧舟 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/56;C23G5/024 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法，包括以下步骤：(1)将具有立方织构的Ni或Ni合金金属带材基底清洗干净，干燥；(2)在温度为500℃～780℃、Ar/H2混合气体中，以金属Ce作为靶材，对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射预沉积5～30分钟，其中，Ar/H2的体积比是50/10～80/10，气压为5～80Pa；(3)然后在温度为500℃～780℃、Ar/O2混合气体中，以金属Ce作为靶材，再对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射沉积25～150分钟，其中，Ar/O2的体积比是50/2～80/1，气压为5～80Pa，即得到了CeO2缓冲层。该两步沉积的方法不仅有效抑制了NiO的生成，也保证了CeO2取向的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 金属 基底 制备 ceo sub 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)将具有立方织构的Ni或Ni合金金属带材基底进行清洗，干燥后待用；(2)采用通用的溅射设备，将上述基底放入该设备的腔体内的加热器上，然后对腔体抽真空，至腔体内的压力等于或低于1.1×10-2Pa，随后通入Ar/H2 混合气体，其中Ar/H2的体积比是50/10～80/10，气体压力控制在5～80Pa，将加热器温度升至500℃～780℃，以金属Ce作为靶材，开始溅射预沉积，进行两步沉积的方法中的第一步沉积；(3)Ar/H2气氛下预沉积5～30分钟后，暂停溅射，断开气路，并将腔体内残余的H2抽净；(4)对腔体内抽真空，至腔体内的压力等于或低于1.1×10-2Pa，再向腔体内通入O2和Ar气，以Ar/O2混合气体作为反应溅射气体，Ar/O2体积比是50/2～80/1，气体压力控制在5～80Pa，将加热器温度升至500℃～780℃，以金属Ce作为靶材，开始溅射沉积25～150分钟，进行两步沉积的方法中的第二步沉积，即得到了CeO2缓冲层。
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