[发明专利]曝光方法和网目调型移相掩模无效

专利信息
申请号: 200610073208.1 申请日: 2006-04-05
公开(公告)号: CN1845008A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 谷口幸夫 申请(专利权)人: 株式会社液晶先端技术开发中心
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°~203°)}(n是整数)。
搜索关键词: 曝光 方法 网目 调型移相掩模
【主权项】:
1.一种使用具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域的网目调型移相掩模对曝光对象面进行曝光的方法,其特征在于:上述网目调型移相掩模的振幅相位调制区域中的下述式的φ的值比上述基准区域中的下述式的φ的值大182°~203°,φ=φ1-φ2 φ 1 = 360 deg × Σ i n i × t i / λ 其中,i:各区域中存在的相位调制层的编号,ni:各区域中存在的第i相位调制层的折射率,ti:各区域中存在的第i相位调制层的厚度,λ:光的波长, φ 2 = Σ i arg { 2 ( n i - i k i ) / ( n i + n i + 1 - i ( k i + k i + 1 ) ) } 其中,i:规定各区域中存在的界面的层的编号,ni:规定各区域中存在的界面的第i层的折射率,ki:规定各区域中存在的界面的第i层的衰减系数。
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