[发明专利]晶圆刻印方法无效
| 申请号： | 200610073751.1 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101051187A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡裕斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种晶圆刻印方法。该刻印方法包括：(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；(b)贴设该胶层于一第一胶膜下，该第一胶膜系设置于一框架上；及(c)投射一雷射光于该晶圆之该第二表面以进行刻印。藉此，利用该框架可提供较佳的支撑力，并改善雷射光定位不良之问题，以确保晶圆在进行刻印时精确性，以及提升产品之质量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻印 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆刻印方法，其包括：步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；步骤(b)贴设该胶层于一第一胶膜下；以及步骤(c)投射一雷射光于该晶圆的第二表面以进行刻印；其特征在于：所述步骤(b)进一步包括：该第一胶膜设置于一框架上。
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