[发明专利]氮化镓类半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610074303.3 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1848452A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 菅原秀人;本乡智惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L29/737;H01L21/205;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备：掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；其中，在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少、而氢浓度增大的第一区域，所述第一区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。
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