[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610074701.5 申请日: 2003-04-23
公开(公告)号: CN1855469A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 野间崇;篠木裕之;高井信行;北川胜彦;德重利洋智;太田垣贵康;安藤达也;沖川满 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/12;H01L21/60;H01L21/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a),在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3),在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后,设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且,在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而,可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置,其特征在于,包括:在半导体芯片的表面上形成的第1绝缘膜、在所述第1绝缘膜上形成的第1布线、粘接在所述半导体芯片的表面上的支承体、覆盖所述半导体芯片的侧面以及背面的第2绝缘膜、与所述第1布线连接并隔着所述第2绝缘膜在所述半导体芯片的背面上延伸的第2布线、以及覆盖所述第2布线的保护膜。
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