[发明专利]利用保护性罩幕的光罩等离子体蚀刻法无效
| 申请号： | 200610074817.9 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101054673A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | M·钱德拉楚得;A·库玛;W·－F·亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;G03F1/08;H01L21/3213;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻铬层与形成光罩的方法。在一个实施例中，蚀刻铬的方法包含：在制程反应室中提供具有铬层的膜堆叠；图案化位于膜堆叠上的光阻层；沉积保角形保护层于具图案的光阻层上；蚀刻保角形保护层以使铬层通过具图案的光阻层而暴露；以及蚀刻铬层。本发明蚀刻铬层的方法是特别适合于制作光罩。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 保护性 等离子体 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻一铬层的方法，包含：提供一膜堆叠于一制程反应室中，该膜堆叠具有一铬层与一具图案的光阻层；沉积一保角形(conformal)保护层于该具图案的光阻层上；蚀刻该保角形保护层以通过该具图案的光阻层暴露该铬层；以及蚀刻该铬层。
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