[发明专利]使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法有效
| 申请号： | 200610075436.2 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1862385A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 金淏哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了用于检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法，使用具有适于印刷具有临界尺寸的测试特征的光掩膜，可以将其测量和分析来确定光刻工艺期间从曝光工具的最佳焦点位置的离焦的幅度和方向。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 测试 特征 检测 光刻 工艺 中的 焦点 变化 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种监视光刻工艺的焦点的方法，包括：获得在其上形成有光致抗蚀剂图案的半导体晶片，所述光致抗蚀剂图案包括印刷测试图案，所述印刷测试图案包括第一和第二印刷测试特征；确定第一印刷测试特征的印刷临界尺寸CD1和第二印刷测试特征的印刷临界尺寸CD2；确定印刷临界尺寸CD1和CD2之间的相对CD差异；以及基于所确定的相对CD差异，确定从所述光刻工艺的最佳焦点设置的离焦的幅度和方向。
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