[发明专利]增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法有效
| 申请号： | 200610075472.9 | 申请日： | 2006-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1921014A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 林清淳;陈耕晖;郭乃萍;陈汉松;洪俊雄;谢文义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种增加一氮化物只读存储器(Nitride Read－Only Memory，NROM)阵列的抹除均匀性的方法。NROM内存阵列具有数个NROM存储单元、耦接在这些NROM存储单元的左侧的数个偶序金属位线以及耦接在这些NROM存储单元的右侧的数个奇序金属位线。此方法包括：首先，抹除这些NROM存储单元的左侧。接着，施加正电压至耦接在这些NROM存储单元的左侧的这些偶序金属位线。然后，将耦接各NROM存储单元的右侧的这些奇序金属位线放电至共同节点。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 氮化物 只读存储器 阵列 均匀 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的方法，该一氮化物只读存储器阵列具有多个一氮化物只读存储器存储单元、耦接在各这些一氮化物只读存储器存储单元的左侧的多个偶序金属位线以及耦接在各这些氮化物只读存储器存储单元的右侧的多个奇序金属位线，该方法包括：抹除各这些一氮化物只读存储器存储单元的左侧；施加一正电压至耦接在各这些一氮化物只读存储器存储单元的左侧的这些偶序金属位线；以及将耦接在各这些一氮化物只读存储器存储单元的右侧的这些奇序金属位线放电至一共同节点。
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