[发明专利]一种沟渠步阶通道单元晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610075836.3 | 申请日： | 2006-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101060098A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 钟朝喜 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟渠步阶通道(Trench Step Channel；简称TSC)单元晶体管及其制造方法，以增加晶体管的通道长度，该晶体管包含选择性成长的步阶硅晶层。其中该步阶硅晶层位于晶体管主动元件区域上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟渠 通道 单元 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟渠步阶通道单元晶体管的制造方法，其特征是包含下列步骤：提供基底，其具有至少一个沟渠电容结构与对应该沟渠电容结构的主动元件区域；沉积第一牺牲氧化层于该基底的该主动元件区域；图样化该第一牺牲氧化层，以暴露该主动元件区域的第一预定区域，并覆盖该主动元件区域的第二预定区域，该第二预定区域是与对应的该沟渠电容结构相接；选择性成长步阶硅晶层于该第一预定区域上；除去该第二预定区域的部分该第一牺牲氧化层；沉积栅极绝缘层于该基底上；以及形成栅极电极于该栅极绝缘层上，并覆盖部分该主动元件区域与部分步阶硅晶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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