[发明专利]画素结构及其修补方法有效

专利信息
申请号: 200610076739.6 申请日: 2006-04-18
公开(公告)号: CN101059630A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 王明宗;张明瑄;柳智忠;戴孟杰 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/13
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种画素结构,此种画素结构包括一扫描线、一闸极、一第一介电层、一通道层、一源极、一汲极、一资料线、一第二介电层以及一画素电极。其中,闸极与扫描线电性连接且具有一第一凹口。第一介电层覆盖扫描线与闸极。通道层配置于闸极上方的第一介电层上,且此通道层暴露出第一凹口。源极与汲极配置在通道层上,其中部分汲极位于第一凹口上方。资料线配置在第一介电层上且与源极电性连接。第二介电层覆盖源极、汲极与资料线。画素电极配置于第二介电层上且与汲极电性连接。
搜索关键词: 结构 及其 修补 方法
【主权项】:
1、一种画素结构,其特征在于其包括:一扫描线;一闸极,与该扫描线电性连接,且该闸极具有一第一凹口;一第一介电层,覆盖该扫描线与该闸极;一通道层,配置于该闸极上方的该第一介电层上,且该通道层暴露出该第一凹口;一源极与一汲极,配置在该通道层上,其中部分该汲极位于该第一凹口上方;一资料线,配置在该第一介电层上,且与该源极电性连接;一第二介电层,覆盖该源极、该汲极与该资料线;以及一画素电极,配置于该第二介电层上,且与该汲极电性连接。
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