[发明专利]图像感测元件及其制作方法

摘要

提供一基底，于该基底内形成多个浅沟隔离，用以隔离并定义出多个有源区域，各该有源区域内分别包括有一光感测区，于该些光感测区内分别形成一光电二极管后即进行一局部硅氧化(LOCOS)工艺，以形成一局部硅氧化绝缘层。随后，于该些有源区域内分别形成一晶体管的栅极，且该栅极覆盖部分该局部硅氧化绝缘层，最后于该基底中形成多个掺杂区。

主权项

1.一种图像感测元件的制作方法，包括：提供基底；于该基底内形成多个浅沟隔离，用以隔离并定义出多个有源区域，且该些有源区域内分别包括光感测区；进行局部硅氧化工艺，以于该些光感测区内的基底表面分别形成局部硅氧化绝缘层；于该些有源区域内分别形成晶体管的栅极，且该栅极覆盖部分该局部硅氧化绝缘层；以及于该基底中形成多个掺杂区。