[发明专利]具有硅化物层的接触结构、使用其的半导体器件、以及制造该接触结构和半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610077873.8 | 申请日： | 2006-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1933141A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朴济民;金炳鈗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了具有硅化物层的接触结构、使用该接触结构的半导体器件、以及制造该结构和半导体器件的方法。该接触结构包括衬底上的第一导电区和第二导电区。绝缘层覆盖第一和第二导电区。第一接触孔和第二接触孔形成为穿过绝缘层并分别露出第一和第二导电区。具有第一厚度的第一硅化物层在由第一接触孔露出的第一导电区上。具有与第一厚度不同的第二厚度的第二硅化物层在由第二接触孔露出的第二导电区上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅化物层 接触 结构 使用 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触结构，包括：衬底；衬底上的第一导电区和第二导电区；覆盖第一和第二导电区的绝缘层；穿过绝缘层并分别露出第一和第二导电区的第一接触孔和第二接触孔；由第一接触孔露出的第一导电区上的第一硅化物层，并且该第一硅化物层具有第一厚度；以及由第二接触孔露出的第二导电区上的第二硅化物层，该第二硅化物层具有与第一厚度不同的第二厚度。
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