[发明专利]运用金属－硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法有效
| 申请号： | 200610078173.0 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101064248A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 欧俊尧;郑华琦;萧名男;庄博全;王朝仁 | 申请（专利权）人： | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种运用金属－硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法，其步骤包括：合成含苯甲基或其衍生物和金属－硫系元素的先驱物(metal－chalcogenide Precursor)，并将此先驱物溶于一溶剂中以制备成先驱物溶液，其中可在先驱物溶液中选择加入一硫属元素或化合物，以调整金属离子与硫系元素的摩尔比。再以特定的涂布方式将此先驱物溶液涂布于基板上，经固化处理后以形成金属－硫系元素化合物薄膜，藉此，取代目前采用的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)制作的非结晶－硅(amorphous Si)主动层薄膜方法。 | ||
| 搜索关键词： | 运用 金属 元素 化合物 先驱 溶液 制作 主动 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法，其特征在于，其步骤包括：合成先驱物，其中该先驱物是含有苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的化合物；将该先驱物溶于溶剂中，以制备成先驱物溶液；利用涂布方式将该先驱物溶液涂布于基板上；及将该基板干燥后进行固化流程以在基板上形成主动层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
