[发明专利]半导体器件的栅图案及其制造方法无效
| 申请号： | 200610078927.2 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1921144A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 林宽容;全润奭;金贤贞;成敏圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/108;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件的栅图案及其制造方法。该栅图案包括具有沟槽的衬底、栅绝缘层、第一栅电极层以及第二栅电极层。栅绝缘层形成在具有沟槽的衬底之上。第一栅电极层埋入沟槽，其不突出于栅绝缘层上。第二栅电极层形成在第一栅电极层之上，而且具有与第一栅电极层接触的预定部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图案 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的栅图案，包括：具有沟槽的衬底；栅绝缘层，形成在具有所述沟槽的所述衬底之上；埋入所述沟槽的第一栅电极层，其不突出于设置在没有形成所述沟槽的所述衬底之上的所述栅绝缘层上；及第二栅电极层，形成在所述第一栅电极层之上，而且具有与所述第一栅电极层接触的预定部分。
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