[发明专利]半导体封装结构及封装方法无效

专利信息
申请号: 200610081801.0 申请日: 2006-05-16
公开(公告)号: CN101075587A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 罗启彰;方立志 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;陈肖梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种半导体封装结构及封装方法,在半导体封装结构的基板与半导体芯片附着时,芯片覆盖沟槽,本发明令其一端闭合及一端开口而具导流的功能。本发明的结构及方法可以使模流于封装时,利用流体产生横向压力的特性,有效的控制模流流动方向及其产生的横向压力而转为强化半导体封装结构与铸模间的压力,更利用半导体封装结构在铸模时的特殊排列方式而防止溢胶,强化其固着强度并提升封装品质。本发明可以解决现有技术中模流由沟槽灌入上腔体时冲击封装结构,导致封装结构与下铸模脱离而降低封装品质的问题。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,包含:一基板,具有一沟槽;及一芯片,附着于上述基板的沟槽上,并保留该沟槽的第一端为开口端,第二端为闭合端由该芯片所覆盖。
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