[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610081823.7 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101071831A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李亚儒;徐大正;金明达;陈彦文;骆武聪;李仲渊;谢明勋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件，其包括半导体基板及设置于其上的多层外延结构。半导体基板具有垂直半导体基板的上表面的既定晶格方向，使半导体基板的上表面具有至少两种晶面，其中既定晶格方向包含自[100]朝向[011]或[011]、或自[100]朝向[011]或[011]倾斜的角度。多层外延结构设置于半导体基板上，具有与多层外延结构的上表面垂直的该既定晶格方向，其中多层外延结构的上表面为粗化表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：半导体基板，具有上表面，且具有垂直于该上表面的既定晶格方向，其中该既定晶格方向包含自[100]朝向、[100]朝向、朝向[011]、或朝向倾斜的角度，使该上表面包含至少二晶面，且此二晶面的晶面方向不同；以及多层外延结构，设置于该半导体基板上，其中该多层外延结构具有上表面，该上表面为粗化表面且与该既定晶格方向垂直。
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