[发明专利]在至少投射光学部件和晶片上具有相等压力的浸入式光刻装置和方法有效
| 申请号： | 200610082751.8 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1877455A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | S·J·霍姆斯;M·C·哈基;D·V·霍拉克;P·H·米切尔;古川俊治 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浸入式光刻装置和方法，以及光刻光学柱结构，用于利用在相同压力下的不同流体中的光学系统的至少投射光学部件和晶片进行浸入式光刻。具体地说，提供了一种浸入式光刻装置，其中将超临界流体引入晶片的周围，并且以相同的压力将如惰性气体的另一种流体引入光学系统的至少投射光学部件，以消除对特殊透镜的需求。另外，本发明包括浸入式光刻装置，该装置包括一室，该室填充有超临界浸入流体并且包围将要曝光的晶片以及光学系统的至少投射光学部件。 | ||
| 搜索关键词： | 至少 投射 光学 部件 晶片 具有 相等 压力 浸入 光刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浸入式光刻装置，所述装置包括：第一室，适于保持晶片，所述第一室填充有在一压力下的第一流体；以及第二室，位于所述第一室上并且包括用于将辐射投射到所述晶片上的光学系统的至少投射光学部件，所述第二室填充有与所述第一流体不同并在基本上所述压力下的第二流体。
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