[发明专利]竖直型功率LED及水平型功率LED的热辐射结构有效

专利信息
申请号: 200610083368.4 申请日: 2006-06-06
公开(公告)号: CN101086328A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 黃仁赫 申请(专利权)人: 木山电子株式会社
主分类号: F21V29/00 分类号: F21V29/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种竖直型功率LED以及一种水平型功率LED的热辐射结构,其可有效辐射从竖直型功率LED产生的热。该竖直型功率LED通过将功率芯片安装在灯型LED上并封装其上安装有所述功率芯片的所述灯型LED而获得。该竖直型功率LED包括:第一引线框架,具有其中装有LED元件的杯形凹槽,经由导线连接到所述LED元件,用于从外部为所述LED元件提供功率,并具有至少一个热辐射通孔,用于增加热辐射速度;第二引线框架,经由导线连接到所述LED元件,用于从外部为所述LED元件提供功率,并设置成与所述第一引线框架相对;及模制部,通过以透明材料模制所述第一和第二引线框架的上部以便包含所述LED元件而形成。
搜索关键词: 竖直 功率 led 水平 热辐射 结构
【主权项】:
1.一种竖直型功率LED,其通过将功率芯片安装在灯型LED上并封装其上安装有所述功率芯片的所述灯型LED而获得,该竖直型功率LED包括:第一引线框架,具有其中装有LED元件的杯形凹槽,经由导线连接到所述LED元件,用于从外部为所述LED元件提供功率,并具有至少一个热辐射通孔,用于增加热辐射速度;第二引线框架,经由导线连接到所述LED元件,用于从外部为所述LED元件提供功率,并设置成与所述第一引线框架相对;及模制部,通过以透明材料模制所述第一和第二引线框架的上部以便包含所述LED元件而形成。
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