[发明专利]紧凑型大功率发光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 200610085507.7 申请日: 2006-06-20
公开(公告)号: CN101093828A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 周鸣放 申请(专利权)人: 常州东村电子有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L25/00;H01L23/36;H01L33/00
代理公司: 常州市维益专利事务所 代理人: 周祥生
地址: 213235江苏省金坛市薛*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种紧凑型大功率发光二极管的封装结构,它包括透镜体、金属引线、若干个大功率LED芯片、凹型反射腔、主体基板,凹型反射腔安装在主体基板上后,两者的底面相平;大功率LED芯片粘接在凹型反射腔中心部位,每个大功率LED芯片由金属引线分别与电极连接层的正负电极点相连,透镜体封罩在凹型反射腔上,并罩盖所有的金属引线和大功率LED芯片。在凹型反射腔的内表面镀有反射层有助于改善大功率LED芯片的取光效率;凹型反射腔和主体基板选用高导热的金属材料提高了大功率LED芯片的散热性能,其结构简单,制造成本低。
搜索关键词: 紧凑型 大功率 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1、一种紧凑型大功率发光二极管的封装结构,其特征在于:它包括透镜体(1)、金属引线(2)、若干个大功率LED芯片(3)、凹型反射腔(4)、主体基板(5),在主体基板(5)的上表面覆有绝缘层(6),在绝缘层(6)上设有电极连接层(7),在主体基板(5)上设有安装凹型反射腔(4)的孔,凹型反射腔(4)固定安装在该孔中,凹型反射腔(4)安装在主体基板(5)上后,两者的底平面处于同一平面上;大功率LED芯片(3)粘接在凹型反射腔(4)中心部位,每个大功率LED芯片(3)通过金属引线(2)与电极连接层(7)相连,透镜体(1)封罩在凹型反射腔(4)上,并罩盖所有的金属引线(2)和大功率LED芯片(3)。
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