[发明专利]电子发射源及应用其的场发射显示器无效
| 申请号： | 200610086779.9 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097822A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 罗吉宗;郑健民 | 申请（专利权）人： | 大同股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种电子发射源及应用其的场发射显示器，其中作为电子发射源的类钻碳膜层具有片状结构特征，且可于基板表面排列成一花瓣图案。由于本发明类钻碳膜层的片状结构的高度约为微米级，厚度约为纳米级，所以本发明类钻碳膜的片状结构具有高的高宽比，使其具备具良好的场发射增强因子，易于发射电子，而成为良好的电子发射源。并且，本发明可将该电子发射源材料应用于场发射显示器中，以作为良好且稳定的电子发射源。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 应用 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射源，其特征在于，是包括：一基板；以及一具有片状结构的类钻碳膜层，是沉积于该基板表面；其中，该类钻碳膜层的片状结构是排列于该基板表面以形成一花瓣图案，且该片状结构的侧面高度是介于0.5μm至4.0μm之间。
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